Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > RN2313,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2313,LF

Номер детали производителя RN2313,LF
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN TRAN
Упаковка SC-70
В наличии 3364643 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.063 $0.057 $0.031 $0.019 $0.013
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 3364643 Toshiba Semiconductor and Storage RN2313,LF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Тип транзистор PNP - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства SC-70
Серии -
Резистор - основание (R1) 47 kOhms
Мощность - Макс 100 mW
Упаковка / SC-70, SOT-323
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 200 MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
Базовый номер продукта RN2313

Рекомендуемые продукты

RN2313,LF DataSheet PDF