Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

RN2110,LF(CB

Номер детали производителя	RN2110,LF(CB
производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
Упаковка	SSM
В наличии	3185085 pcs
Техническая спецификация	RN2110,11

Справочная цена (В долларах США)

3000
$0.014

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 3185085 Toshiba Semiconductor and Storage RN2110,LF(CB в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)	50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Тип транзистор	PNP - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства	SSM
Серии	-
Резистор - основание (R1)	4.7 kOhms
Мощность - Макс	100mW
упаковка	Tape & Reel (TR)
Упаковка /	SC-75, SOT-416
Другие названия	RN2110(T5L,F,T) RN2110(T5LFT)TR RN2110(T5LFT)TR-ND RN2110,LF(CBTR RN2110,LF(CT RN2110LF(CBTR RN2110LF(CTTR RN2110LF(CTTR-ND

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)	1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления	16 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Частота - Переход	200MHz
Подробное описание	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс)	100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс)	100mA