Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

RN2105MFV,L3XHF(CT

Номер детали производителя	RN2105MFV,L3XHF(CT
производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание	AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=2.2K, Q1BER
Упаковка	VESM
В наличии	1730158 pcs
Техническая спецификация

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500	1000	2000
$0.123	$0.1	$0.053	$0.035	$0.024	$0.021

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 1730158 Toshiba Semiconductor and Storage RN2105MFV,L3XHF(CT в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)	50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 5mA
Тип транзистор	PNP - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства	VESM
Серии	Automotive, AEC-Q101
Резистор - основание эмиттера (R2)	47 kOhms
Резистор - основание (R1)	2.2 kOhms
Мощность - Макс	150 mW

Свойства продукта	Значение атрибута
Упаковка /	SOT-723
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Тип установки	Surface Mount
Частота - Переход	250 MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс)	500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс)	100 mA
Базовый номер продукта	RN2105