RN1911FETE85LF
| Номер детали производителя | RN1911FETE85LF |
|---|---|
| производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Подробное описание | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Упаковка | ES6 |
| В наличии | 4958 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 4958 Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FETE85LF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Тип транзистор | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Поставщик Упаковка устройства | ES6 |
| Серии | - |
| Резистор - основание эмиттера (R2) | - |
| Резистор - основание (R1) | 10kOhms |
| Мощность - Макс | 100mW |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Упаковка / | SOT-563, SOT-666 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Частота - Переход | 250MHz |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100nA (ICBO) |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
| Базовый номер продукта | RN1911 |
Рекомендуемые продукты
-
RN1911FE,LXHF(CT
AUTO AEC-Q NPN X 2 Q1BSR=10K, Q2Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1965FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1962TE85LF
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1911,LF(CT
NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.KToshiba Semiconductor and Storage -
RN1963(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1964FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1964TE85LF
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1911FE,LF(CT
NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=IToshiba Semiconductor and Storage -
RN1910,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1963FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1910FE,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1911(T5L,F,T)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1961(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1910FE,LXHF(CT
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETRToshiba Semiconductor and Storage -
RN1911,LXHF(CT
AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1965(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1910FE(T5L,F,T)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1910,LXHF(CT
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NPToshiba Semiconductor and Storage -
RN1961FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1962FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6Toshiba Semiconductor and Storage