Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

RN1501(TE85L,F)

Номер детали производителя	RN1501(TE85L,F)
производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Упаковка	SMV
В наличии	6899 pcs
Техническая спецификация	RN1501-06

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 6899 Toshiba Semiconductor and Storage RN1501(TE85L,F) в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)	50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Тип транзистор	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Поставщик Упаковка устройства	SMV
Серии	-
Резистор - основание эмиттера (R2)	4.7 kOhms
Резистор - основание (R1)	4.7 kOhms
Мощность - Макс	300mW
упаковка	Cut Tape (CT)
Упаковка /	SC-74A, SOT-753

Свойства продукта	Значение атрибута
Другие названия	RN1501(TE85LF)CT
Тип установки	Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)	1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Частота - Переход	250MHz
Подробное описание	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 10mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс)	100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс)	100mA