Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > RN1412TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1412TE85LF

Номер детали производителя RN1412TE85LF
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Упаковка S-Mini
В наличии 1619746 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.109 $0.089 $0.047 $0.031 $0.021
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 1619746 Toshiba Semiconductor and Storage RN1412TE85LF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Тип транзистор NPN - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства S-Mini
Серии -
Резистор - основание (R1) 22 kOhms
Мощность - Макс 200 mW
Упаковка / TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 250 MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
Базовый номер продукта RN1412

Рекомендуемые продукты

RN1412TE85LF DataSheet PDF