Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

RN1130MFV,L3F

Номер детали производителя	RN1130MFV,L3F
производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Упаковка	VESM
В наличии	1163247 pcs
Техническая спецификация	Multiple Devices 01/Jul/2014

Справочная цена (В долларах США)

1
$0.038

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 1163247 Toshiba Semiconductor and Storage RN1130MFV,L3F в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)	50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 5mA
Тип транзистор	NPN - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства	VESM
Серии	-
Резистор - основание эмиттера (R2)	100 kOhms
Резистор - основание (R1)	100 kOhms
Мощность - Макс	150 mW

Свойства продукта	Значение атрибута
Упаковка /	SOT-723
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Тип установки	Surface Mount
Частота - Переход	250 MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 10mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс)	500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс)	100 mA
Базовый номер продукта	RN1130