Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы > HN2C01FE-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FE-GR(T5L,F)

Номер детали производителя HN2C01FE-GR(T5L,F)
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Упаковка ES6
В наличии 5861 pcs
Техническая спецификация EOL_X34_Oct_2014 Oct/2014HN2C01FE
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 5861 Toshiba Semiconductor and Storage HN2C01FE-GR(T5L,F) в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Тип транзистор 2 NPN (Dual)
Поставщик Упаковка устройства ES6
Серии -
Мощность - Макс 100mW
Упаковка / SOT-563, SOT-666
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 60MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 150mA
Базовый номер продукта HN2C01

Рекомендуемые продукты

HN2C01FE-GR(T5L,F) DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для HN2C01FE-GR(T5L,F)

Связанные детали для HN2C01FE-GR(T5L,F)