Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > 2SK3309(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3309(Q)

Номер детали производителя 2SK3309(Q)
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
Упаковка TO-220FL
В наличии 4423 pcs
Техническая спецификация Mosfets Prod Guide2SK3309
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 4423 Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3309(Q) в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220FL
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 65W (Tc)
Упаковка / TO-220-3, Short Tab
Упаковка Tube
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 920 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 23 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 450 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 10A (Ta)
Базовый номер продукта 2SK3309

Рекомендуемые продукты

2SK3309(Q) DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для 2SK3309(Q)

Связанные детали для 2SK3309(Q)