Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > 2SK1119(F)
2SK1119(F) Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

2SK1119(F)

Номер детали производителя 2SK1119(F)
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
Упаковка TO-220AB
В наличии 5382 pcs
Техническая спецификация Mosfets Prod Guide2SK1119
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 5382 Toshiba Semiconductor and Storage 2SK1119(F) в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220AB
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8Ohm @ 2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 100W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 700 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1000 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4A (Ta)
Базовый номер продукта 2SK1119

Рекомендуемые продукты

2SK1119(F) DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для 2SK1119(F)

Связанные детали для 2SK1119(F)