Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > 2SJ304(F)
2SJ304(F) Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

2SJ304(F)

Номер детали производителя 2SJ304(F)
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS
Упаковка TO-220NIS
В наличии 4201 pcs
Техническая спецификация Mosfets Prod Guide2SJ304
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 4201 Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ304(F) в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220NIS
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 7A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 40W (Tc)
Упаковка / TO-220-3 Full Pack
Упаковка Bulk
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1200 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 14A (Ta)
Базовый номер продукта 2SJ304

Рекомендуемые продукты

2SJ304(F) DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для 2SJ304(F)

Связанные детали для 2SJ304(F)