Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл > 2SD2406-Y(F)
2SD2406-Y(F) Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

2SD2406-Y(F)

Номер детали производителя 2SD2406-Y(F)
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание TRANS NPN 80V 4A TO220NIS
Упаковка TO-220NIS
В наличии 4639 pcs
Техническая спецификация 2SD2406
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 4639 Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2406-Y(F) в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 80 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 1.5V @ 300mA, 3A
Тип транзистор NPN
Поставщик Упаковка устройства TO-220NIS
Серии -
Мощность - Макс 25 W
Упаковка / TO-220-3 Full Pack
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Частота - Переход 8MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 30µA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 4 A
Базовый номер продукта 2SD2406

Рекомендуемые продукты

2SD2406-Y(F) DataSheet PDF

Техническая спецификация

Loading...