Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл > 2SD2129,LS4ALPSQ(M
2SD2129,LS4ALPSQ(M Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

2SD2129,LS4ALPSQ(M

Номер детали производителя 2SD2129,LS4ALPSQ(M
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание TRANS NPN 100V 3A TO220NIS
Упаковка TO-220NIS
В наличии 5057 pcs
Техническая спецификация Mult Device EOL 30/Nov/20162SD2129
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 5057 Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2129,LS4ALPSQ(M в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 100 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 2V @ 12mA, 3A
Тип транзистор NPN
Поставщик Упаковка устройства TO-220NIS
Серии -
Мощность - Макс 2 W
Упаковка / TO-220-3 Full Pack
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Частота - Переход -
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 1.5A, 3V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 100µA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 3 A
Базовый номер продукта 2SD2129

Рекомендуемые продукты

2SD2129,LS4ALPSQ(M DataSheet PDF

Техническая спецификация