Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

2SB1481(TOJS,Q,M)

Номер детали производителя	2SB1481(TOJS,Q,M)
производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание	TRANS PNP 100V 4A TO220NIS
Упаковка	TO-220NIS
В наличии	5713 pcs
Техническая спецификация	2SB1481 Mult Device EOL 30/Nov/2016

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 5713 Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1481(TOJS,Q,M) в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)	100 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic	1.5V @ 6mA, 3A
Тип транзистор	PNP
Поставщик Упаковка устройства	TO-220NIS
Серии	-
Мощность - Макс	2 W
Упаковка /	TO-220-3 Full Pack
Упаковка	Bulk

Свойства продукта	Значение атрибута
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип установки	Through Hole
Частота - Переход	-
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce	2000 @ 3A, 2V
Ток - Коллектор Граничная (Макс)	2µA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс)	4 A
Базовый номер продукта	2SB1481