Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл > 2SA1930,ONKQ(J
2SA1930,ONKQ(J Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

2SA1930,ONKQ(J

Номер детали производителя 2SA1930,ONKQ(J
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
Упаковка TO-220NIS
В наличии 6190 pcs
Техническая спецификация 2SA1930Mult Device EOL 30/Nov/2016
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 6190 Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930,ONKQ(J в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 180 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A
Тип транзистор PNP
Поставщик Упаковка устройства TO-220NIS
Серии -
Мощность - Макс 2 W
Упаковка / TO-220-3 Full Pack
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Частота - Переход 200MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 5µA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 2 A
Базовый номер продукта 2SA1930

Рекомендуемые продукты

2SA1930,ONKQ(J DataSheet PDF

Техническая спецификация