MSRLT219SB5475MTNA01
| Номер детали производителя | MSRLT219SB5475MTNA01 |
|---|---|
| производитель | Taiyo Yuden |
| Подробное описание | CAP CER 4.7UF 25V X5R 0508 |
| Упаковка | 0508 (1220 Metric) |
| В наличии | 1075141 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 4000 |
|---|
| $0.035 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Taiyo Yuden.У нас есть кусочки 1075141 Taiyo Yuden MSRLT219SB5475MTNA01 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Напряжение - Номинальный | 25V |
| Толерантность | ±20% |
| Толщина (макс) | 0.037" (0.95mm) |
| Температурный коэффициент | X5R |
| Размер / Dimension | 0.049" L x 0.079" W (1.25mm x 2.00mm) |
| Серии | MSRL |
| Рейтинги | - |
| Упаковка / | 0508 (1220 Metric) |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 85°C |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount, MLCC |
| Ведущий стиль | - |
| Шаг выводов | - |
| Высота - Сидящая (Макс) | - |
| Особенности | Low ESL (Reverse Geometry) |
| Интенсивность отказов | - |
| емкость | 4.7 µF |
| Базовый номер продукта | MSRLT21 |
| Приложения | Bypass, Decoupling |
Рекомендуемые продукты
-
MSRT100140AD
DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRT100100(A)D
DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRLT165SB5104MTNA01
CAP CER 0.1UF 25V X5R 0306Taiyo Yuden -
MSRLP165SC6106MTNA01
CAP CER 10UF 2.5V X6S 0306Taiyo Yuden -
MSRLL219SB5475MTNA01
CAP CER 4.7UF 10V X5R 0508Taiyo Yuden -
MSRLT103SB5104MFNA01
CAP CER 0.1UF 25V X5R 0204Taiyo Yuden -
MSRT100140(A)D
DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRLL165SB5225MTNA01
CAP CER 2.2UF 10V X5R 0306Taiyo Yuden -
MSRT100120(A)D
DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRT100100D
1000V 100A THREE TOWER SILICON RGeneSiC Semiconductor -
MSRT100120AD
DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRLT219SB7225MTNA01
CAP CER 2.2UF 25V X7R 0508Taiyo Yuden -
MSRLL219SC6106MTNA01
CAP CER 10UF 10V X6S 0508Taiyo Yuden -
MSRLL219SB5106MTNA01
CAP CER 10UF 10V X5R 0508Taiyo Yuden -
MSRLT165SB7104MTNA01
CAP CER 0.1UF 25V X7R 0306Taiyo Yuden -
MSRLT219SB7225KTNA01
CAP CER 2.2UF 25V X7R 0508Taiyo Yuden -
MSRLL219SB5475KTNA01
CAP CER 4.7UF 10V X5R 0508Taiyo Yuden -
MSRT100120D
1200V 100A THREE TOWER SILICON RGeneSiC Semiconductor -
MSRLT219SB5475KTNA01
CAP CER 4.7UF 25V X5R 0508Taiyo Yuden -
MSRT100100AD
DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor