PU1JLW
Номер детали производителя
PU1JLW
производитель
Taiwan Semiconductor Corporation
Подробное описание
25NS, 1A, 600V, ULTRA FAST RECOV
Упаковка
SOD-123W
В наличии
1101369 pcs
Техническая спецификация
PU1JLW
Справочная цена (В долларах США)
20000
40000
$0.037
$0.037
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Taiwan Semiconductor Corporation.У нас есть кусочки 1101369 Taiwan Semiconductor Corporation PU1JLW в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
Спецификация
Свойства продукта
Значение атрибута
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если
1.5 V @ 1 A
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс)
600 V
Технологии
Standard
Поставщик Упаковка устройства
SOD-123W
скорость
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Серии
-
Обратное время восстановления (ТИР)
25 ns
Упаковка /
SOD-123W
Свойства продукта
Значение атрибута
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Рабочая температура - Соединение
-55°C ~ 150°C
Тип установки
Surface Mount
Ток - Обратный утечки @ Vr
1 µA @ 600 V
Текущий - средний выпрямленный (Io)
1A
Емкостной @ В.Р., F
17pF @ 4V, 1MHz
Базовый номер продукта
PU1J
Рекомендуемые продукты
PU140 JET YEAR 1989 108.2CI - 100HP STARTER
Replacement for Suzuki PU140 Jet
Interlight
PU1JFS
25NS, 1A, 600V, ULTRA FAST RECOV
Taiwan Semiconductor Corporation
PU1BM
25NS, 1A, 100V, ULTRA FAST RECOV
Taiwan Semiconductor Corporation
PU1DLSH
DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123HE
Taiwan Semiconductor Corporation
PU1BFSH
DIODE GEN PURP 100V 1A SOD128
Taiwan Semiconductor Corporation
PU140 EFI JET YEAR 1997 108.2CI - 100HP STARTER
Replacement for Suzuki PU140 Efi
Interlight
PU1JLS
25NS, 1A, 600V, ULTRA FAST RECOV
Taiwan Semiconductor Corporation
PU140 JET YEAR 1990 108.2CI - 100HP STARTER
Replacement for Suzuki PU140 Jet
Interlight
PU1JA
25NS, 1A, 600V, ULTRA FAST RECOV
Taiwan Semiconductor Corporation
PU1DAH
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Taiwan Semiconductor Corporation
PU1BMH M3G
DIODE GEN PURP 100V 1A MICRO SMA
Taiwan Semiconductor Corporation
PU1BLSH
DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123HE
Taiwan Semiconductor Corporation
PU1BAH
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Taiwan Semiconductor Corporation
PU1DFSH
DIODE GEN PURP 200V 1A SOD128
Taiwan Semiconductor Corporation
PU1DLWH
DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
Taiwan Semiconductor Corporation
PU120T
POWER UNIT 120V-WTCPT
Apex Tool Group
PU1BLWH
DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123W
Taiwan Semiconductor Corporation
PU1DMH M3G
DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA
Taiwan Semiconductor Corporation
PU1DM
DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA
Taiwan Semiconductor Corporation
PU1K0.232.6W.B.010
1000 OHM, TCR 3750 PPM/K, 2.3 X
Innovative Sensor Technology, USA Division
Техническая спецификация
DataShieT File обзор
