ESH1B
Номер детали производителя | ESH1B |
---|---|
производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
Подробное описание | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC |
Упаковка | DO-214AC (SMA) |
В наличии | 1401114 pcs |
Техническая спецификация | Mult Dev Pkg/Status Chgs 5/Feb/2021Part Number Update 1/Jan/2021ESH1B - ESH1D |
Справочная цена (В долларах США)
15000 | 37500 | 52500 |
---|---|---|
$0.032 | $0.03 | $0.029 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Taiwan Semiconductor Corporation.У нас есть кусочки 1401114 Taiwan Semiconductor Corporation ESH1B в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 900 mV @ 1 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 100 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-214AC (SMA) |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 15 ns |
Упаковка / | DO-214AC, SMA |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 1 µA @ 100 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
Емкостной @ В.Р., F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | ESH1 |
Рекомендуемые продукты
-
ESH1BHE3_A/I
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
ESH1B-M3/5AT
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
ESH158M016AL3AA
CAP ALUM RAD 105CKEMET -
ESH1B-E3/5AT
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
ESH158M063AM3AA
CAP ALUM RAD 105CKEMET -
ESH158M050AM7AA
CAP ALUM RAD 105CKEMET -
ESH157M6R3AC3AA
CAP ALUM RAD 105CKEMET -
ESH1B-E3/61T
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
ESH1B R3G
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACTaiwan Semiconductor Corporation -
ESH158M025AL4AA
CAP ALUM RAD 105CKEMET -
ESH159M6R3AM3AA
CAP ALUM RAD 105CKEMET -
ESH1B M2G
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACTSC (Taiwan Semiconductor) -
ESH1BH
15NS, 1A, 100V, ULTRA FAST RECOVTaiwan Semiconductor Corporation -
ESH158M035AM7AA
CAP ALUM 1500UF 20% 35V RADIALKEMET -
ESH1C
DIODE GEN PURP 150V 1A DO214ACTaiwan Semiconductor Corporation -
ESH158M6R3AH2AA
CAP ALUM RAD 105CKEMET -
ESH1BHE3_A/H
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
ESH158M010AH4AA
CAP ALUM RAD 105CKEMET -
ESH1B-M3/61T
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
ESH158M050AM2AA
CAP ALUM RAD 105CKEMET