Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > GP2T080A120H
SemiQ

GP2T080A120H

Номер детали производителя GP2T080A120H
производитель SemiQ
Подробное описание SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
Упаковка TO-247-4
В наличии 11951 pcs
Техническая спецификация GP2T080A120H Datasheet
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$4.489 $4.126 $3.484 $3.1 $2.843
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии SemiQ.У нас есть кусочки 11951 SemiQ GP2T080A120H в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 10mA
Vgs (макс.) +25V, -10V
Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Упаковка устройства TO-247-4
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 20V
Рассеиваемая мощность (макс) 188W (Tc)
Упаковка / TO-247-4
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1377 pF @ 1000 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 61 nC @ 20 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 35A (Tc)
Базовый номер продукта GP2T080A

Рекомендуемые продукты

GP2T080A120H DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для GP2T080A120H

Связанные детали для GP2T080A120H