G5S06510PT
Номер детали производителя | G5S06510PT |
---|---|
производитель | Global Power Technology-GPT |
Подробное описание | DIODE SIL CARB 650V 39A TO247AC |
Упаковка | TO-247AC |
В наличии | 19179 pcs |
Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 |
---|---|
$2.298 | $2.064 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Global Power Technology-GPT.У нас есть кусочки 19179 Global Power Technology-GPT G5S06510PT в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.5 V @ 10 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 650 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-247AC |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Упаковка / | TO-247-2 |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 50 µA @ 650 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 39A |
Емкостной @ В.Р., F | 645pF @ 0V, 1MHz |
Рекомендуемые продукты
-
G5S06520AT
DIODE SIC 650V 68.8A TO220ACGlobal Power Technology-GPT -
G5S06508DT
DIODE SIL CARBIDE 650V 32A TO263Global Power Technology-GPT -
G5S12005C
DIODE SIC 1.2KV 20.95A TO252Global Power Technology-GPT -
G5S12002H
DIODE SIL CARB 1.2KV 7.5A TO220FGlobal Power Technology-GPT -
G5S12005D
DIODE SIL CARB 1.2KV 21A TO263Global Power Technology-GPT -
G5S06510CT
DIODE SIL CARB 650V 35.8A TO252Global Power Technology-GPT -
G5S12005H
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PIGlobal Power Technology Co. Ltd -
G5S12005A
DIODE SIC 1.2KV 20.5A TO220ACGlobal Power Technology-GPT -
G5S12005P
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PIGlobal Power Technology Co. Ltd -
G5S06510HT
DIODE SIL CARB 650V 23.8A TO220FGlobal Power Technology-GPT -
G5S06508QT
DIODE SIL CARB 650V 44.9A 4DFNGlobal Power Technology-GPT -
G5S06510DT
DIODE SIL CARBIDE 650V 38A TO263Global Power Technology-GPT -
G5S06508AT
DIODE SIC 650V 30.5A TO220ACGlobal Power Technology-GPT -
G5S06508CT
DIODE SIL CARBIDE 650V 31A TO252Global Power Technology-GPT -
G5S06508PT
DIODE SIC 650V 31.2A TO247ACGlobal Power Technology-GPT -
G5S12002A
DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220ACGlobal Power Technology-GPT -
G5S06510QT
DIODE SIL CARBIDE 650V 53A 4DFNGlobal Power Technology-GPT -
G5S06508HT
DIODE SIL CARB 650V 20A TO220FGlobal Power Technology-GPT -
G5S06510AT
DIODE SIL CARB 650V 36A TO220ACGlobal Power Technology-GPT -
G5S12002C
DIODE SIL CARB 1.2KV 8.8A TO252Global Power Technology-GPT