Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Диоды - выпрямители - сингл > G3S12010D
Global Power Technology-GPT

G3S12010D

Номер детали производителя G3S12010D
производитель Global Power Technology-GPT
Подробное описание DIODE SIL CARB 1.2KV 33.2A TO263
Упаковка TO-263
В наличии 10938 pcs
Техническая спецификация G3S12010D
Справочная цена (В долларах США)
1 10
$4.427 $4
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Global Power Technology-GPT.У нас есть кусочки 10938 Global Power Technology-GPT G3S12010D в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если 1.7 V @ 10 A
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) 1200 V
Технологии SiC (Silicon Carbide) Schottky
Поставщик Упаковка устройства TO-263
скорость No Recovery Time > 500mA (Io)
Серии -
Обратное время восстановления (ТИР) 0 ns
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Cut Tape (CT)
Рабочая температура - Соединение -55°C ~ 175°C
Тип установки Surface Mount
Ток - Обратный утечки @ Vr 50 µA @ 1200 V
Текущий - средний выпрямленный (Io) 33.2A
Емкостной @ В.Р., F 765pF @ 0V, 1MHz

Рекомендуемые продукты

G3S12010D DataSheet PDF

Техническая спецификация