Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > STW35N65DM2
STW35N65DM2 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

STW35N65DM2

Номер детали производителя STW35N65DM2
производитель STMicroelectronics
Подробное описание MOSFET N-CH 650V 32A TO247
Упаковка TO-247-3
В наличии 35192 pcs
Техническая спецификация New Molding Compound 13/Sep/2019STW35N65DM2
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$2.245 $2.029 $1.68 $1.463 $1.274 $1.227
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 35192 STMicroelectronics STW35N65DM2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±25V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-247-3
Серии MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 16A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 250W (Tc)
Упаковка / TO-247-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2540 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 56.3 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 32A (Tc)
Базовый номер продукта STW35

Рекомендуемые продукты

STW35N65DM2 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для STW35N65DM2

Связанные детали для STW35N65DM2