Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > STW25N60M2-EP
STW25N60M2-EP Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

STW25N60M2-EP

Номер детали производителя STW25N60M2-EP
производитель STMicroelectronics
Подробное описание MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247
Упаковка TO-247-3
В наличии 74631 pcs
Техническая спецификация Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019New Molding Compound 13/Sep/2019Gate threshold voltage 10/Apr/2018
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.302 $1.17 $0.959 $0.816 $0.688 $0.654 $0.629
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 74631 STMicroelectronics STW25N60M2-EP в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA
Vgs (макс.) ±25V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-247-3
Серии MDmesh™ M2-EP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 188mOhm @ 9A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 150W (Tc)
Упаковка / TO-247-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1090 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 18A (Tc)
Базовый номер продукта STW25

Рекомендуемые продукты

STW25N60M2-EP DataSheet PDF

Техническая спецификация