Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > STU9HN65M2
STU9HN65M2 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

STU9HN65M2

Номер детали производителя STU9HN65M2
производитель STMicroelectronics
Подробное описание MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
Упаковка TO-251 (IPAK)
В наличии 188852 pcs
Техническая спецификация Mult Dev OBS 3/Jul/2020
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.448 $0.401 $0.312 $0.258 $0.204 $0.19
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 188852 STMicroelectronics STU9HN65M2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±25V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-251 (IPAK)
Серии MDmesh™ M2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 820mOhm @ 2.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 60W (Tc)
Упаковка / TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 325 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 11.5 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 5.5A (Tc)
Базовый номер продукта STU9H

Рекомендуемые продукты

STU9HN65M2 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для STU9HN65M2

Связанные детали для STU9HN65M2