Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > STS19N3LLH6
STS19N3LLH6 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

STS19N3LLH6

Номер детали производителя STS19N3LLH6
производитель STMicroelectronics
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
Упаковка 8-SOIC
В наличии 5948 pcs
Техническая спецификация Multiple Devices 01/Aug/2014STS19N3LLH6
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 5948 STMicroelectronics STS19N3LLH6 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SOIC
Серии DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 9.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.7W (Ta)
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1690 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 17 nC @ 15 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 19A (Tc)
Базовый номер продукта STS19

Рекомендуемые продукты

STS19N3LLH6 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для STS19N3LLH6

Связанные детали для STS19N3LLH6