Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > STP8NM50
STP8NM50 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

STP8NM50

Номер детали производителя STP8NM50
производитель STMicroelectronics
Подробное описание MOSFET N-CH 550V 8A TO220AB
Упаковка TO-220
В наличии 5665 pcs
Техническая спецификация STP8NM50(FP)
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 5665 STMicroelectronics STP8NM50 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220
Серии MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 2.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 100W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура -65°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 415 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 550 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 8A (Tc)
Базовый номер продукта STP8N

Рекомендуемые продукты

STP8NM50 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для STP8NM50

Связанные детали для STP8NM50