Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > STP6N65M2
STP6N65M2 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

STP6N65M2

Номер детали производителя STP6N65M2
производитель STMicroelectronics
Подробное описание MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Упаковка TO-220
В наличии 6258 pcs
Техническая спецификация ST(F,P,U)6N65M2Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019Mult Dev OBS 3/Jul/2020Mult Dev Wafer Site Add 3/Aug/2018
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 6258 STMicroelectronics STP6N65M2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±25V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220
Серии MDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35Ohm @ 2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 60W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 226 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 9.8 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4A (Tc)
Базовый номер продукта STP6N

Рекомендуемые продукты

STP6N65M2 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для STP6N65M2

Связанные детали для STP6N65M2