Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > STH150N10F7-2
STMicroelectronics

STH150N10F7-2

Номер детали производителя STH150N10F7-2
производитель STMicroelectronics
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
Упаковка H2Pak-2
В наличии 45737 pcs
Техническая спецификация STH150N10F7-2SCTx/SCTx/STHx/STPSCx/STTHx/TN4050HP 26/Jul/2022Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021STripFET 21/Jul/2017
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500
$1.554 $1.394 $1.142 $0.972
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 45737 STMicroelectronics STH150N10F7-2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства H2Pak-2
Серии DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 55A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 250W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 8115 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 117 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 110A (Tc)
Базовый номер продукта STH150

Рекомендуемые продукты

STH150N10F7-2 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Loading...