STH110N10F7-2

Номер детали производителя	STH110N10F7-2
производитель	STMicroelectronics
Подробное описание	MOSFET N CH 100V 110A H2PAK
Упаковка	H2Pak-2
В наличии	27456 pcs
Техническая спецификация	STH110N10F7-2,-6 Mult Dev OBS 2/Apr/2020 STripFET 21/Jul/2017

Справочная цена (В долларах США)

1	10
$1.348	$1.209

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 27456 STMicroelectronics STH110N10F7-2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	H2Pak-2
Серии	DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5mOhm @ 55A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	150W (Tc)
Упаковка /	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	5117 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	110A (Tc)
Базовый номер продукта	STH110