Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > STB9NK80Z
STB9NK80Z Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

STB9NK80Z

Номер детали производителя STB9NK80Z
производитель STMicroelectronics
Подробное описание MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
Упаковка D2PAK
В наличии 66260 pcs
Техническая спецификация D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013Box Label Chg 28/Jul/2016Mult Devices Testing 10/May/2018Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021STB9NK80Z
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500
$0.87 $0.781 $0.628 $0.516
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 66260 STMicroelectronics STB9NK80Z в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D2PAK
Серии Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 125W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1138 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 800 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 5.2A (Tc)
Базовый номер продукта STB9

Рекомендуемые продукты

STB9NK80Z DataSheet PDF

Техническая спецификация