Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > STB35N60DM2
STB35N60DM2 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

STB35N60DM2

Номер детали производителя STB35N60DM2
производитель STMicroelectronics
Подробное описание MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Упаковка D²PAK (TO-263)
В наличии 23159 pcs
Техническая спецификация STB35N60DM2Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021Mult Dev Assembly Chg 19/Dec/2018
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500
$2.259 $2.03 $1.664 $1.416
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 23159 STMicroelectronics STB35N60DM2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±25V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D²PAK (TO-263)
Серии MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 14A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 210W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2400 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 54 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 28A (Tc)
Базовый номер продукта STB35

Рекомендуемые продукты

STB35N60DM2 DataSheet PDF

Техническая спецификация