Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > STB20NM60D
STB20NM60D Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

STB20NM60D

Номер детали производителя STB20NM60D
производитель STMicroelectronics
Подробное описание MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Упаковка D2PAK
В наличии 27214 pcs
Техническая спецификация STB20NM60DD2PAK Lead Modification 04/Oct/2013Mult Devices 27/Feb/2019Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500
$2.491 $2.25 $1.863 $1.622
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 27214 STMicroelectronics STB20NM60D в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D2PAK
Серии FDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 192W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -65°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 52 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 20A (Tc)
Базовый номер продукта STB20

Рекомендуемые продукты

STB20NM60D DataSheet PDF

Техническая спецификация