Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > STB11NM60-1
STB11NM60-1 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

STB11NM60-1

Номер детали производителя STB11NM60-1
производитель STMicroelectronics
Подробное описание MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
Упаковка I2PAK
В наличии 6931 pcs
Техническая спецификация ST(P,B)11NM60(FP,-1)TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013Multiple Devices 01/Aug/2014
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 6931 STMicroelectronics STB11NM60-1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства I2PAK
Серии MDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 5.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 160W (Tc)
Упаковка / TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура -65°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1000 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 11A (Tc)
Базовый номер продукта STB11N

Рекомендуемые продукты

STB11NM60-1 DataSheet PDF

Техническая спецификация