Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

STB100N10F7

Номер детали производителя	STB100N10F7
производитель	STMicroelectronics
Подробное описание	MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Упаковка	D²PAK (TO-263)
В наличии	60731 pcs
Техническая спецификация	Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021 IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014 STx100N10F7 DataSheet STripFET 21/Jul/2017

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500
$1.14	$1.026	$0.825	$0.677

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 60731 STMicroelectronics STB100N10F7 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	D²PAK (TO-263)
Серии	DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8mOhm @ 40A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	150W (Tc)
Упаковка /	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	4369 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	61 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	80A (Tc)
Базовый номер продукта	STB100