Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл > ESM2012DV
ESM2012DV Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

ESM2012DV

Номер детали производителя ESM2012DV
производитель STMicroelectronics
Подробное описание TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP
Упаковка ISOTOP®
В наличии 5802 pcs
Техническая спецификация ESM2012DV
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 5802 STMicroelectronics ESM2012DV в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 120 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 1.5V @ 1A, 100A
Тип транзистор NPN - Darlington
Поставщик Упаковка устройства ISOTOP®
Серии -
Мощность - Макс 175 W
Упаковка / ISOTOP
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип установки Chassis Mount
Частота - Переход -
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 1200 @ 100A, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) -
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 120 A
Базовый номер продукта ESM2012

Рекомендуемые продукты

ESM2012DV DataSheet PDF

Техническая спецификация