Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > A1P50S65M2
STMicroelectronics

A1P50S65M2

Номер детали производителя A1P50S65M2
производитель STMicroelectronics
Подробное описание IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
Упаковка ACEPACK™ 1
В наличии 2022 pcs
Техническая спецификация A1P50S65M2
Справочная цена (В долларах США)
1 18 36 90 234
$20.479 $19.106 $18.305 $16.589 $16.19
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 2022 STMicroelectronics A1P50S65M2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 650 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.3V @ 15V, 50A
Поставщик Упаковка устройства ACEPACK™ 1
Серии -
Мощность - Макс 208 W
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC термистора Yes
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 4.15 nF @ 25 V
вход Standard
Тип IGBT Trench Field Stop
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 100 µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 50 A
конфигурация Three Phase Inverter
Базовый номер продукта A1P50

Рекомендуемые продукты

A1P50S65M2 DataSheet PDF

Техническая спецификация