IXF1002ED
| Номер детали производителя | IXF1002ED |
|---|---|
| производитель | Rochester Electronics, LLC |
| Подробное описание | IXF1002ED |
| Упаковка | Bulk |
| В наличии | 578 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 2 |
|---|
| $61.444 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Rochester Electronics, LLC.У нас есть кусочки 578 Rochester Electronics, LLC IXF1002ED в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Серии | * |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Упаковка | Bulk |
Рекомендуемые продукты
-
IXFA102N15T
MOSFET N-CH 150V 102A TO263IXYS -
IXFA12N65X2-TRL
MOSFET N-CH 650V 12A TO263IXYS -
IXFA130N10T2
MOSFET N-CH 100V 130A TO263IXYS -
IXFA10N80P
MOSFET N-CH 800V 10A TO263IXYS -
IXF1002EDT
IXF1002EDTRochester Electronics, LLC -
IXFA12N50P
MOSFET N-CH 500V 12A TO263IXYS -
IXFA130N10T
MOSFET N-CH 100V 130A TO263IXYS -
IXFA110N15T2-TRL
MOSFET N-CH 150V 110A TO263IXYS -
IXF1002EDT-G
IXF1002EDT-GRochester Electronics, LLC -
IXF611P1
IC GATE DRVR MOSF/IGBT 8DIPIXYS -
IXF1002ED-G
IXF1002ED-GRochester Electronics, LLC -
IXFA10N60P-TRL
MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAKIXYS -
IXFA12N65X2
MOSFET N-CH 650V 12A TO263AAIXYS -
IXFA10N80P-TRL
MOSFET N-CH 800V 10A TO263IXYS -
IXFA110N15T2
MOSFET N-CH 150V 110A TO263IXYS -
IXFA12N50P-TRL
MOSFET N-CH 500V 12A TO263IXYS -
IXFA130N10T2-TRL
MOSFET N-CH 100V 130A TO263IXYS -
IXF611S1
IC GATE DRVR MOSF/IGBT 8SOICIXYS -
IXF611S1T/R
IC GATE DRVR MOSF/IGBT 8SOICIXYS -
IXFA10N60P
MOSFET N-CH 600V 10A TO263IXYS