Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > RJK1001DPN-E0#T2
Renesas Electronics America Inc

RJK1001DPN-E0#T2

Номер детали производителя RJK1001DPN-E0#T2
производитель Renesas Electronics America Inc
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Упаковка TO-220AB
В наличии 4922 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Renesas Electronics America Inc.У нас есть кусочки 4922 Renesas Electronics America Inc RJK1001DPN-E0#T2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id -
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220AB
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 40A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 200W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 10 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 147 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 80A (Ta)

Рекомендуемые продукты

RJK1001DPN-E0#T2 DataSheet PDF

Ключевые слова для RJK1001DPN-E0#T2

Связанные детали для RJK1001DPN-E0#T2