Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > RJK03E0DNS-00#J5
Renesas Electronics America Inc

RJK03E0DNS-00#J5

Номер детали производителя RJK03E0DNS-00#J5
производитель Renesas Electronics America Inc
Подробное описание POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Упаковка 8-HWSON (3.3x3.3)
В наличии 91220 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
319
$0.373
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Renesas Electronics America Inc.У нас есть кусочки 91220 Renesas Electronics America Inc RJK03E0DNS-00#J5 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id -
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-HWSON (3.3x3.3)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 15A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 20W (Tc)
Упаковка / 8-PowerWDFN
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3050 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 15.2 nC @ 4.5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 30A (Ta)

Рекомендуемые продукты

RJK03E0DNS-00#J5 DataSheet PDF

Ключевые слова для RJK03E0DNS-00#J5

Связанные детали для RJK03E0DNS-00#J5