Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - сингл > RJH1DF7RDPQ-80#T2
Renesas

RJH1DF7RDPQ-80#T2

Номер детали производителя RJH1DF7RDPQ-80#T2
производитель Renesas
Подробное описание RJH1DF7 - INSULATED GATE BIPOLAR
Упаковка TO-247
В наличии 21244 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
54
$2.087
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Renesas.У нас есть кусочки 21244 Renesas RJH1DF7RDPQ-80#T2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1350 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.55V @ 15V, 35A
режим для испытаний 600V, 35A, 5Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C 58ns/144ns
Переключение энергии -
Поставщик Упаковка устройства TO-247
Серии -
Мощность - Макс 250 W
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / TO-247-3
Упаковка Bulk
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Тип ввода Standard
Тип IGBT -
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 60 A

Рекомендуемые продукты

RJH1DF7RDPQ-80#T2 DataSheet PDF

Ключевые слова для RJH1DF7RDPQ-80#T2

Связанные детали для RJH1DF7RDPQ-80#T2