Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Интегральные схемы (ICs) > Память > R1EV58256BDANBI#B2
Renesas Electronics America Inc

R1EV58256BDANBI#B2

Номер детали производителя R1EV58256BDANBI#B2
производитель Renesas Electronics America Inc
Подробное описание IC EEPROM 256KBIT PARALLEL 28DIP
Упаковка 28-DIP
В наличии 5409 pcs
Техническая спецификация Mult Dev EOL 15/Dec/2021Label Change-All Devices 01/Dec/2022
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Renesas Electronics America Inc.У нас есть кусочки 5409 Renesas Electronics America Inc R1EV58256BDANBI#B2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Время цикла записи - слово, страница 10ms
Напряжение тока - поставка 2.7V ~ 5.5V
Технологии EEPROM
Поставщик Упаковка устройства 28-DIP
Серии R1EV58256BxxN
Упаковка / 28-DIP (0.600", 15.24mm)
Упаковка Tray
Рабочая Температура -40°C ~ 85°C (TA)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Тип памяти Non-Volatile
Размер памяти 256Kbit
Организация памяти 32K x 8
Интерфейс памяти Parallel
Формат памяти EEPROM
Базовый номер продукта R1EV58256
Время доступа 85 ns

Рекомендуемые продукты

R1EV58256BDANBI#B2 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для R1EV58256BDANBI#B2

Связанные детали для R1EV58256BDANBI#B2