Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > NP80N055PDG-E1B-AY
Renesas Electronics America Inc

NP80N055PDG-E1B-AY

Номер детали производителя NP80N055PDG-E1B-AY
производитель Renesas Electronics America Inc
Подробное описание MOSFET N-CH 55V 80A TO263
Упаковка TO-263
В наличии 64626 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
161
$0.728
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Renesas Electronics America Inc.У нас есть кусочки 64626 Renesas Electronics America Inc NP80N055PDG-E1B-AY в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-263
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 40A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.8W (Ta), 115W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 6900 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 135 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 55 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 80A (Tc)

Рекомендуемые продукты

NP80N055PDG-E1B-AY DataSheet PDF

Ключевые слова для NP80N055PDG-E1B-AY

Связанные детали для NP80N055PDG-E1B-AY