Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - RF > NESG2101M05-T1-A
Renesas Electronics America Inc

NESG2101M05-T1-A

Номер детали производителя NESG2101M05-T1-A
производитель Renesas Electronics America Inc
Подробное описание NESG2101 - NPN SIGE RF TRANSISTO
Упаковка M05
В наличии 160095 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
555
$0.21
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Renesas Electronics America Inc.У нас есть кусочки 160095 Renesas Electronics America Inc NESG2101M05-T1-A в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 5V
Тип транзистор NPN
Поставщик Упаковка устройства M05
Серии -
Мощность - Макс 500mW
Упаковка / SOT-343F
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Коэффициент шума (дБ Typ @ F) 0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
Тип установки Surface Mount
Усиление 11dB ~ 19dB
Частота - Переход 17GHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 130 @ 15mA, 2V
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100mA

Рекомендуемые продукты

NESG2101M05-T1-A DataSheet PDF

Ключевые слова для NESG2101M05-T1-A

Связанные детали для NESG2101M05-T1-A