Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

HIP6603BECB-T

Номер детали производителя	HIP6603BECB-T
производитель	Renesas Electronics America Inc
Подробное описание	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Упаковка	8-SOIC-EP
В наличии	6350 pcs
Техническая спецификация	Cylindrical Battery Holders 2.73KHz

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Renesas Electronics America Inc.У нас есть кусочки 6350 Renesas Electronics America Inc HIP6603BECB-T в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Напряжение тока - поставка	10.8V ~ 13.2V
Поставщик Упаковка устройства	8-SOIC-EP
Серии	-
Время нарастания / спада (Typ)	20ns, 20ns
Упаковка /	8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	0°C ~ 125°C (TJ)
Количество водителей	2
Тип установки	Surface Mount

Свойства продукта	Значение атрибута
Логическое напряжение - VIL, VIH	-
Тип ввода	Non-Inverting
Со стороны высокого напряжения - Макс (Bootstrap)	15 V
Тип ворот	N-Channel MOSFET
Управляемая конфигурация	Half-Bridge
Текущий - пиковый выход (источник, приемник)	-
ток заряда	Synchronous
Базовый номер продукта	HIP6603