Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

HIP2101EIBZT

Номер детали производителя	HIP2101EIBZT
производитель	Renesas Electronics America Inc
Подробное описание	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Упаковка	8-SOIC-EP
В наличии	37722 pcs
Техническая спецификация	2.73KHz

Справочная цена (В долларах США)

1	10	25	100	250	500	1000
$1.724	$1.548	$1.463	$1.268	$1.203	$1.079	$1.024

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Renesas Electronics America Inc.У нас есть кусочки 37722 Renesas Electronics America Inc HIP2101EIBZT в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Напряжение тока - поставка	9V ~ 14V
Поставщик Упаковка устройства	8-SOIC-EP
Серии	-
Время нарастания / спада (Typ)	10ns, 10ns
Упаковка /	8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Количество водителей	2
Тип установки	Surface Mount

Свойства продукта	Значение атрибута
Логическое напряжение - VIL, VIH	0.8V, 2.2V
Тип ввода	Non-Inverting
Со стороны высокого напряжения - Макс (Bootstrap)	114 V
Тип ворот	N-Channel MOSFET
Управляемая конфигурация	Half-Bridge
Текущий - пиковый выход (источник, приемник)	2A, 2A
ток заряда	Independent
Базовый номер продукта	HIP2101