Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > HAT2279N-EL-E
Renesas Electronics America Inc

HAT2279N-EL-E

Номер детали производителя HAT2279N-EL-E
производитель Renesas Electronics America Inc
Подробное описание MOSFET N-CH 80V 30A 8LFPAK
Упаковка 8-LFPAK-iV
В наличии 4534 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Renesas Electronics America Inc.У нас есть кусочки 4534 Renesas Electronics America Inc HAT2279N-EL-E в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id -
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-LFPAK-iV
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.3mOhm @ 15A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 25W (Tc)
Упаковка / 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3520 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 80 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 30A (Ta)

Рекомендуемые продукты

HAT2279N-EL-E DataSheet PDF

Ключевые слова для HAT2279N-EL-E

Связанные детали для HAT2279N-EL-E