Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > HAT2165HWS-E
Renesas Electronics America Inc

HAT2165HWS-E

Номер детали производителя HAT2165HWS-E
производитель Renesas Electronics America Inc
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 55A 5LFPAK
Упаковка LFPAK
В наличии 6817 pcs
Техническая спецификация Mult Dev EOL 15/Dec/2018Label Change-All Devices 01/Dec/2022
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Renesas Electronics America Inc.У нас есть кусочки 6817 Renesas Electronics America Inc HAT2165HWS-E в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства LFPAK
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 27.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 30W (Tc)
Упаковка / SC-100, SOT-669
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 150°C
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 5180 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 55A (Ta)

Рекомендуемые продукты

HAT2165HWS-E DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для HAT2165HWS-E

Связанные детали для HAT2165HWS-E