Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

H7N1002LSTL-E

Номер детали производителя	H7N1002LSTL-E
производитель	Renesas Electronics America Inc
Подробное описание	MOSFET N-CH 100V 75A 4LDPAK
Упаковка	LDPAK
В наличии	4037 pcs
Техническая спецификация	Label Change-All Devices 01/Dec/2022

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Renesas Electronics America Inc.У нас есть кусочки 4037 Renesas Electronics America Inc H7N1002LSTL-E в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	-
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	LDPAK
Серии	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 37.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	100W (Tc)
Упаковка /	SC-83
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	9700 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	155 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	75A (Ta)
Базовый номер продукта	H7N1002