Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > FN4L4M-T1B-A
Renesas Electronics America Inc

FN4L4M-T1B-A

Номер детали производителя FN4L4M-T1B-A
производитель Renesas Electronics America Inc
Подробное описание PROGRAM ADAPTER
Упаковка Box
В наличии 6904 pcs
Техническая спецификация Mult Dev EOL 15/Dec/2018Label Change-All Devices 01/Dec/2022FA4xzx
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Renesas Electronics America Inc.У нас есть кусочки 6904 Renesas Electronics America Inc FN4L4M-T1B-A в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 200mV @ 250µ, 5mA
Тип транзистор NPN - Pre-Biased
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 22 Ohms
Резистор - основание (R1) 22 Ohms
Свойства продукта Значение атрибута
Мощность - Макс 200 mW
Упаковка Box
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 85 @ 5mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
Базовый номер продукта FN4L4M

Рекомендуемые продукты

FN4L4M-T1B-A DataSheet PDF

Техническая спецификация