Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > 2SJ162-E
Renesas

2SJ162-E

Номер детали производителя 2SJ162-E
производитель Renesas
Подробное описание 2SJ162 - P Channel MOSFET
Упаковка TO-3P
В наличии 6178 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Renesas.У нас есть кусочки 6178 Renesas 2SJ162-E в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.45V @ 100mA
Vgs (макс.) ±15V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-3P
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Рассеиваемая мощность (макс) 100W (Tc)
Упаковка / TO-3P-3, SC-65-3
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 150°C
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 900 pF @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 160 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 7A (Ta)

Рекомендуемые продукты

2SJ162-E DataSheet PDF

Ключевые слова для 2SJ162-E

Связанные детали для 2SJ162-E